图片仅供参考,产品以实物为准
| 标准包装 | 450 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 500V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 20A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 265 mOhm @ 10A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 55nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3290pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 277W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-3P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 最大连续漏极电流 | 20 A |
| RDS -于 | 265@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 40 ns |
| 典型上升时间 | 150 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 95 ns |
| 典型下降时间 | 110 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-3P |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Rail |
| 最大漏源电阻 | 265@10V |
| 最大漏源电压 | 500 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-3P |
| 最大功率耗散 | 277000 |
| 最大连续漏极电流 | 20 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 20A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 供应商设备封装 | TO-3P |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 265 mOhm @ 10A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 277W |
| 封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3290pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 55nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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